Компания SK Hynix присоединилась к Samsung, предложив разработчикам смартфонов и планшетов мобильную оперативную память объёмом 8 ГБ. Таким образом в следующем году стоит ожидать появления телефонов с 8 ГБ оперативной памяти, только не понятно, для чего она нужна.
Для производства памяти компания использовала старый и хорошо отлаженный 21 нм процесс, при том что многие ожидали увидеть более технологичные микросхемы, изготовленные по 16 нм или даже 10 нм нормам, однако этот процесс запланирован компанией только на 2017 год.
Новая память поддерживает передачу данных уровне 3733 МТ/с и обеспечивает скорость до 29,8 Гб/с. Эти цифры выглядят впечатляюще, однако для их достижения LPDDR4 необходимо напряжение в 1,1 В или выше.
Конкурирующий стандарт LPDDR4X требует напряжения 0,6 В, позволяя снизить энергопотребление на 45%. Первым процессором, который поддерживает данную память стал MediaTek P20, однако он ограничен поддержкой 2×3 ГБ LPDDR4X. Так что первым чипом с поддержкой 8 ГБ ОЗУ станет Snapdragon 835.
В любом случае, такой объём оперативно памяти будет избыточен для смартфонов. Он может иметь смысл лишь для некоторых конвертеров и устройств 2-в-1, особенно на фоне полноценной работоспособности Windows 10 на топовых процессорах Qualcomm.
Источник: Мир Nvidia
Добавить комментарий